本實驗利用熱化學氣相沉積法成長圖形化的奈米碳管束。利用微影製程在矽基板上製作出不同半徑與不同間距的圖形化。改變不同的成長時間來控制奈米碳管束的高度。鐵當做觸媒金屬層，鋁為緩衝層。成長碳管的最佳條件為…

本實驗利用氧氣吸附於石墨烯表面造成其內部之載子濃度改變與電阻率變化，來判斷石墨烯半導體之pn特性。實驗中，利用熱化學氣相沉積法製作石墨烯，並通入不同濃度之氨氣進行改質。一般而言，石墨烯在吸附空氣中之…

在本研究中, 我們以銅箔作為石墨烯之成長基板, 並將銅箔置於可移動式熱化學氣相沉積系統成長石墨烯, 其光穿透率可達85%. 接著, 將最佳化設計之奈米碳管束陣列以熱化學氣相沉積法成長於石墨烯上. 再…

本實驗利用過渡金屬氧化物二氧化釕應用於生物電化學檢測之研究中，為了擴大及改善二氧化釕之表面積不足，將其沉積於奈米碳管之表面上作為結合，以改善其表面積較低之特性，進而提升其檢測能力，奈米碳管之結構穩定…

一般而言，平行板電容器是由兩導體作為電極板，並將兩電極隔開一距離所形成的結構，因此，增加電容值最直接的方法即為增加電極之表面積。為了增加電極之表面積，本實驗利用兩平行互繞之阿基米德螺線作為平行板電容…

本論文利用熱化學氣相沉積法於碳布上合成奈米碳管。為了增強奈米碳管的場電子發射特性，本研究利用硝酸的化學改質處理，移除奈米碳管頂部的金屬觸媒。不同硝酸處理時間的奈米碳管的場發射特性皆被量測。結果顯示，…

　　本實驗以矽基板做為基底在上方成長奈米碳管束陣列，並以奈米碳管束陣列為模板披覆二氧化鈦做為電化學電容器的電極材料。奈米碳管有高導電性、高化學穩定性與高比表面積之特性，利用氣相沉積法成長奈米碳管束陣…

傳統的表面傳導電子發射射極由具有奈米狹縫之氧化鈀薄膜所組成。施加電壓於氧化鈀薄膜而產生穿隧電子與散射電子。雖然奈米狹縫為表面傳導電子發射射極很重要的一環，但奈米狹縫不易製造，且加工複雜。所以為了簡化…

奈米碳管由於其高長徑比、低功函數等特性，被視為是下一世代場發射顯示器之理想材料。然而，要達到實際量產的程度，仍有許多問題需要克服，例如：穩定性、均勻性等。本實驗討論了兩種改善奈米碳管場發射特性的方法…

在本實驗中，製作以過渡金屬氧化物之三氧化鉬 (MoO3)為主之電極，將其應用於生物電化學感測當中。在製作電極的過程中使用矽基板作為基底，並在其上方沉積奈米碳管 (Carbon nanotubes, …